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    TE8000抗干擾介質損耗測試儀

    TE8000抗干擾介質損耗測試儀
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    • 產品名稱:TE8000抗干擾介質損耗測試儀
    • 產品型號:TE8000
    • 產品展商:上海端懿
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    簡單介紹

    TE8000 抗干擾介質損耗測試儀 TE8000抗干擾介質損耗測試儀是我公司吸收國內外同類儀器的優點,精心設計研制而成的一款能全自動測試介質損耗(tgδ)和電容量(Cx)的智能化儀器。TE8000抗干擾介質損耗測試儀率先采用第四代抗干擾技術-全自動反干擾源法,能夠在500KV及以下變電站等干擾強烈的場合準確測量,完全滿足《DLT962-2005高壓介質損耗測試儀通用技術條件》的相關要求。本抗干擾介質損耗測試儀廣泛適用于變壓器、互感器、高壓套管、電力電纜、電容器等電氣設備及絕緣材料的介質損耗及電容量的測試,用以鑒別因污穢、破裂、穿孔、老化、受潮引起的絕緣缺陷。

    產品描述

       TE8000抗干擾介質損耗測試儀:      

            TE8000抗干擾介質損耗測試儀是我公司吸收國內外同類儀器的優點,精心設計研制而成的一款能全自動測試介質損耗(tgδ)和電容量(Cx)的智能化儀器。TE8000抗干擾介質損耗測試儀率先采用第四代抗干擾技術-全自動反干擾源法,能夠在500KV及以下變電站等干擾強烈的場合準確測量,完全滿足《DLT962-2005高壓介質損耗測試儀通用技術條件》的相關要求。本抗干擾介質損耗測試儀廣泛適用于變壓器、互感器、高壓套管、電力電纜、電容器等電氣設備及絕緣材料的介質損耗及電容量的測試,用以鑒別因污穢、破裂、穿孔、老化、受潮引起的絕緣缺陷。

      TE8000抗干擾介質損耗測試儀的產品特性:

    (1) 反干擾源:儀器先測量干擾電流的幅值和相位,然后在內部產生一個幅值相等、相位相反的反干擾信號來抵消干擾電流,從而有效消除現場干擾對測試數據的影響。實踐使用證明,該方法抗干擾效果優于“倒相法”、“移相法”和“變頻法”。
    (2) 整體屏蔽:采用雙層整體屏蔽機箱,能有效阻擋外界電磁干擾。采用高壓屏蔽軟電纜,可直接引至試品,測試**方便,并有效消除了對地雜散電容的影響。
    (3) 使用方便:可自由選擇輸出高壓,啟動后全自動升壓測試。采用中文菜單操作,測量電容值、介損值等顯示結果直觀。內置的前換紙打印機能以中文模式打印記錄數據,換紙更加方便。
    (4) 技術先進:全數字化,內建精密數學模型。
    (5) 精度高:具有較高的分辨率和精度,測試結果重復性好,配上標準油杯后,可測量絕緣油的介質損耗因素。
    (6) 通訊接口:留有“通訊接口”,其中包括RS232計算機接口方便地與筆記本電腦連接,進行數據處理;和“JTAG在線編程接口”,可由筆記本電腦對儀器進行現場在線編程,可對儀器不拆機進行升級處理;使用時,必須配用專用接線座和專用軟件,本儀器不提供此配件。
    (7) 數據記錄:儀器能記錄100組測試數據,以測試日期、時間的形式存儲,日后可調用查看或打印,有利于歷史數據的縱向比較和歷史臺帳的建立。
    (8) 攜帶方便:采用一體化結構,設計合理,體積只有同類產品的1/2~2/3,攜帶十分方便。

         TE8000抗干擾介質損耗測試儀的技術參數:

    使用電源   本儀器使用220(1±10%)V,50(1±2%)Hz電源
     使用環境   環境溫度:-10℃~40℃   相對濕度:≤80%
     外形尺寸   長400mm*寬330mm*高395mm
     質量   20Kg
     測試工作方式   正接法  反接法  抗干擾正接法  抗干擾反接法
     輸出功率   內部高壓*大容量:1.5KVA
      輸出*大電流:150mA
     **性能   絕緣電阻:電源對地≥2MΩ,高壓輸出對地≥50MΩ
      交流耐壓:電源對地1500v耐壓1min,高壓輸出對地15KV耐壓1min,無飛弧和擊穿
     抗干擾性能   | 干擾 /  | 試品 <2,磁場干擾<5高斯下滿足測試精度要求。
     電容測量范圍   10KV: 0~40000pF    
      <5KV: 0~0.1μF
     電容*小分辨率   0.001pF
     電容精度   正接 ±(2%讀數+2pF)
      反接 ±(2%讀數+10pF)
     電壓輸出   范圍:1KV、1.5KV、2KV、2.5KV、3KV、5KV、7.5KV、10KV
      失真度:<2%THD(10KV下線性負載)
      精度:±(1%讀數+10V)
     介損測量范圍   0~50%
     介損測量精度
    測試內容 電容量范圍(Cx) 試品類型 基本誤差
    介質損耗因數tgδ 200pF~40000pF 非接地 ±(2%讀數+0.0005)
    接地 ±(2%讀數+0.0010)
    10pF~200pF或40000pF以上 非接地 ±(2%讀數+0.0010)
    接地 ±(2%讀數+0.0020)
    3pF~10pF 非接地與接地

     


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